波光源進(jìn)行光激發(fā)。圖1.a)是極化PL設(shè)置。在輸入端和輸出端分別加一個(gè)短通(SPass)和長通(LPass)來降低泵浦激光噪聲。在收集方面,光纖可以通向光譜儀或單光子計(jì)數(shù)器。泵浦探針時(shí)間分辨裝置b)有一個(gè)FM(翻轉(zhuǎn)鏡),可用于在TR(光電二極管)和TRKR(平衡光電二極管)測量之間切換。S是樣本的縮寫。所有的時(shí)間分辨測量都是在Quantum Design的OptiCool的測試版中完成的(圖2)。該系統(tǒng)的溫度范圍為1.5 - 350k,磁場達(dá)到7t。對(duì)于光學(xué)訪問,有七個(gè)側(cè)窗和一個(gè)頂窗。樣品階段為半徑6厘米,而超導(dǎo)磁體內(nèi)緣之間的空間為9厘米,這為定制件提供了充足的空間(圖2c)。該系統(tǒng)的特性允許 ...
可以被偏振光激發(fā)成“谷”,這是單層tmd在k空間中分離的直接帶隙躍遷。對(duì)這些谷偏振態(tài)的光學(xué)訪問模擬了OISO所需的選擇規(guī)則。谷的應(yīng)用創(chuàng)造了一個(gè)與自旋電子學(xué)平行的“谷電子學(xué)”,其中基于谷的器件表現(xiàn)出“谷霍爾效應(yīng)”和強(qiáng)自旋谷鎖定,這有利于轉(zhuǎn)移以及信息的長期存儲(chǔ)。在tmd中研究的另一個(gè)值得注意的特性是,當(dāng)單層材料放入光學(xué)腔中時(shí),會(huì)發(fā)生強(qiáng)烈的光-物質(zhì)相互作用。lmountain等人利用光學(xué)Stark效應(yīng)對(duì)這一現(xiàn)象進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究。這項(xiàng)工作顯示了在tmd中對(duì)極化(光態(tài))進(jìn)行谷選擇控制的豐富潛力。這些激子-極化激子狀態(tài)在傳統(tǒng)半導(dǎo)體中已經(jīng)廣泛存在。因此,lmountain等人幫助進(jìn)一步證明了谷和自旋之間的相關(guān) ...
, 1 mW激發(fā)光源下,低層InSe的光致發(fā)光隨時(shí)間的衰減。藍(lán)色是在空氣中,綠色是在真空中,紅色是在10k的真空中。右圖說明了在光照下導(dǎo)致InSe快速降解的三種化學(xué)過程:(I)氧化,(II)解離和(III)與水的相互作用。為了保護(hù)薄層銦不被降解,常用的技術(shù)是干封裝。該方法采用二維材料,如六邊形玻恩氮化物(hBN)或Gr作為頂層和底層,防止空氣和水分進(jìn)入。西北大學(xué)的Hersam小組已經(jīng)證明了其他可行的方法來保護(hù)InSe免于衰變。例如,用于光電器件加工的無表面活性劑、低沸點(diǎn)、脫氧共溶劑體系和使用原子層沉積的鋁封裝。由于他們的經(jīng)驗(yàn)在銦硒樣品制備中,制作了可行的薄樣品和器件,并進(jìn)行了測量。用hBN干燥 ...
氙氣為介質(zhì),激發(fā)產(chǎn)生波長為308 nm的激光脈沖,脈沖的頻率在25~80 Hz之間,一般穿透深度在50μm左右。ELCA主要通過以下3種機(jī)制對(duì)病變斑塊進(jìn)行消融:(1)光-化學(xué)效應(yīng):308 nm激光的光子能量大于很多組織結(jié)構(gòu)中分子鍵的能量,在光子作用下,分子鍵被解離,使得一些組織成分松解。(2)光-熱能效應(yīng):光子的能量被血流中的細(xì)胞成分吸收,這種量級(jí)的能量足以使細(xì)胞的溫度明顯升高,進(jìn)而產(chǎn)生包含水蒸氣的氣泡,高溫水蒸氣的熱能可以使周圍的斑塊組織軟化、松解。(3)光-機(jī)械效應(yīng):隨著包含水蒸氣的氣泡破裂,產(chǎn)生的震蕩可以使導(dǎo)管前端的斑塊組織碎裂,這是ELCA將斑塊內(nèi)的組織分解成微小顆粒的主要機(jī)制。通過以 ...
激光zui大激發(fā)功率下記錄的。而在較弱激勵(lì)水平下發(fā)現(xiàn)的映射顯示出均勻的空間行為(未示出),我們?cè)谶@里觀察到輕微的空間變化。在接觸點(diǎn)和樣品邊緣附近的映射顯示zui小值,在(1.167±0.010eV)之間的映射顯示zui大值。zui大值和zui小值的差值在系統(tǒng)誤差范圍內(nèi),但可以在7±2meV下相對(duì)評(píng)估。盡管發(fā)現(xiàn)了輕微的空間變化,但我們注意到與同時(shí)測量的1.15V開路電壓很吻合,驗(yàn)證了接觸處Δμeff/q≈V的假設(shè)。這種空間變化可以用電接觸下的暗區(qū)或細(xì)胞邊緣的重組引起的側(cè)移來解釋。在 IPVF 開發(fā)的光譜和光度絕對(duì)校準(zhǔn)程序的幫助下,可以確定樣品表面每個(gè)點(diǎn)在每個(gè)波長上發(fā)射的光子的絕對(duì)數(shù)量。這一獨(dú)特功 ...
中具有兩個(gè)可激發(fā)自旋態(tài)的半導(dǎo)體系統(tǒng)的穩(wěn)態(tài)極化PL中可以觀察到的三種機(jī)制的簡單圖。在沒有磁場的情況下,線偏振光(σo)可以激發(fā)載流子種群。當(dāng)這個(gè)種群松弛時(shí),每個(gè)載流子都有相同的機(jī)會(huì)落在任意一個(gè)自旋狀態(tài),因?yàn)檫@些狀態(tài)在能量上是簡并的。這導(dǎo)致沒有凈自旋不平衡(無Polz),并表現(xiàn)為等量的圓極化發(fā)射(σ+(?))。當(dāng)施加磁場時(shí),由于塞曼效應(yīng),自旋能級(jí)被分裂,導(dǎo)致自旋能級(jí)在能量上分離(塞曼)。當(dāng)這種情況發(fā)生時(shí),更多的載流子將放松到能量較低的自旋態(tài)。這就產(chǎn)生了相反螺旋度的發(fā)射PL之間的強(qiáng)度差異。然而,這兩個(gè)都不是自旋的取向是由偏振光和自旋的耦合驅(qū)動(dòng)的。如果在沒有磁場存在的情況下,圓偏振光入射產(chǎn)生凈自旋不平 ...
將電子從價(jià)帶激發(fā)到導(dǎo)帶,產(chǎn)生局域化的自由等離子體。充分電離時(shí),離子之間的碰撞,等離子體中的電子通過逆軔治輻射吸收激光能量后,電子將會(huì)被加熱到極高溫度,隨后電子再通過電子聲子耦合將能量傳遞給晶格,從而使等離子體溫度升高。在多激光脈沖重復(fù)作用過程中,激光誘導(dǎo)形成的缺陷逐步積累,材料的光學(xué)特性逐漸發(fā)生改變。二、飛秒激光的可行性驗(yàn)證材料的光學(xué)特性改變,已在多種材料中得到驗(yàn)證。德國馬克思-伯恩非線性光學(xué)和短脈沖光譜學(xué)研究所Ashkenasi等人發(fā)現(xiàn)釔理氟化物(YLF)和熔石英的表面燒蝕閾值在第1次脈沖激光輻射后會(huì)發(fā)生急劇下降;日本中部大學(xué)的Qi等人發(fā)現(xiàn)孵化效應(yīng)導(dǎo)致藍(lán)寶石的燒蝕閾值與輻射在襯底表面的激光脈 ...
脈沖),從而激發(fā)樣品并引發(fā)物理過程或反應(yīng)。延時(shí)的第二個(gè)激光脈沖(“探測”脈沖)被發(fā)送穿過樣品,以測量由于初始激發(fā)而發(fā)生的光學(xué)特性的變化。通過改變泵脈沖和探測脈沖之間的延遲,可以獲得具有高時(shí)間分辨率的樣品對(duì)泵浦脈沖響應(yīng)的詳細(xì)時(shí)間記錄。泵浦探針采樣在材料科學(xué)和化學(xué)中特別有用,可以幫助了解能量轉(zhuǎn)移、光化學(xué)和其他重要過程的基本機(jī)制。 目前有多種方法可以實(shí)現(xiàn)高性能泵浦探針測量系統(tǒng)。下圖從概念上比較了獲得性能泵浦探針設(shè)置所需的元素。關(guān)鍵挑戰(zhàn):光學(xué)延遲掃描為了解析表面聲波和熱動(dòng)力學(xué),以及皮秒超聲波等應(yīng)用,通常需要使用長掃描范圍的泵浦-探測光延遲。長掃描范圍能夠研究總厚度為幾十微米的復(fù)雜薄膜疊層,例如現(xiàn)代半導(dǎo) ...
續(xù)波激光器來激發(fā)樣品。激光激發(fā)源均勻地分布在整個(gè)視場上,從而實(shí)現(xiàn)全qiu成像。入射光子通量可以調(diào)整,并設(shè)置為86 mWcm-2對(duì)于此處提供的測量的每個(gè)激光。使用顯微鏡物鏡 采集圖像,并在室溫下通過體積布拉格光柵將 PL 定向到 Si CCD 相機(jī)上??臻g分辨率接近衍射極限,約為1 μm,光譜分辨率優(yōu)于2.5 nm。QFLS Δμ是指電子處的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)和空穴接觸在照明下的分裂。通常,測量有效QFLS(Δμeff),因?yàn)檎彰鞯臉悠穮^(qū)域不是無限小的,并且延伸到具有多個(gè)晶界的較大區(qū)域。這些內(nèi)部接口會(huì)導(dǎo)致內(nèi)部損耗降低理想的QFLS。太陽能電池在熱平衡和室溫下的PL發(fā)射ΦPL可以通過廣義普朗克定律使用黑體 ...
就會(huì)因?yàn)楣獾?span style="color:red;">激發(fā)而產(chǎn)生大量的電子—空穴對(duì),I層具有較大的阻值,同時(shí)空穴的遷移率高于電子,這就導(dǎo)致多余的電子只能像兩側(cè)移動(dòng),由于電子帶負(fù)電,所以出現(xiàn)了照射點(diǎn)附近帶正電而兩側(cè)帶負(fù)電的情況。又因?yàn)镻層阻值均勻,故我們可以根據(jù)兩側(cè)的電壓值來判斷實(shí)際光斑位置,將PN結(jié)和運(yùn)算電路相組合就構(gòu)成了我們熟悉的一維PSD。二維PSD的工作原理與一維PSD相同,其共有四個(gè)電極,如下圖所示,可以用于分辨光斑在二維空間的位置。常見的二維PSD可以根據(jù)電極和光敏面的位置分為方形,枕形和雙面形。當(dāng)光斑落到PSD的感光面上,四個(gè)電極就會(huì)因?yàn)闄M向光電效應(yīng)在四個(gè)方向上出現(xiàn)光電流,隨后根據(jù)下面的式子就可以求出光斑的質(zhì)心位置。PSD ...
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