部分具有特定能級（相對光子帶隙而言是指波長）的光子傳輸，而讓其他波長的光子自由通過。此外，波導周期性折射率的微小變化會在光子帶隙中引入新的能級，猶如在傳統半導體的帶隙中產生新的能級。然而，此時建立這種合適的波導結構已被證明是相當困難的，直到1991年，Yablono-vitch等通過在一塊折射率為3.6的材料中鉆出多個直徑為1mm的小孔，實現了世界上第一個光子帶隙材料。此后Philip Russel在Yablono-vitch的研究基礎上通過在光纖包層中制作二維的光子晶體，并成功地將光限制在空心光子晶體光纖的纖芯中，這種二維的光子晶體實際上就是玻璃中光波長尺度的周期微空氣孔晶格，因為這種新型光 ...

提供了準費米能級分裂的帶隙和波動的成像圖[4]。借助其獲得zuanli的光譜和光度的絕對校準，IRDEP可以獲取器件的光電特性，例如EQE,Voc等。上海昊量光電設備有限公司作為Photon 公司在國內的獨家代理，該產品主要特點如下：1）激發光源均勻分布整視野，作用于樣品表面激光功率密度較低，同時避免了由于局部照明造成的載流子復合即使在較低功率下可獲得高信噪比圖像。2）整視野面成像，采用光譜掃描，成像速度快，150x150μm 2成像范圍僅需8分鐘3）可做絕對校準，獲得光譜絕對強度，獲取器件光電特性如EQE,Voc等4）可選擇不同波長的激光作為激發光源5）集熒光成像、電致發光、光致發光、透射率 ...

引起分子由低能級向高能級躍遷，測量在不同波長處的輻射強度就得到了紅外吸收光譜。拉曼光譜：光照射物質，發生散射，其中非彈性散射的部分，散射光頻率相對于入射光頻率發生了一定變化，這部分非彈性散射被稱為拉曼光譜。紅外光譜源于分子中偶極矩的變化，拉曼光譜源于極化率的變化。二、拉曼光譜與紅外光譜活性判別法則1. 互排法則：有對稱中心的分子其分子振動對紅外和拉曼之一有活性，則另一非活性。2. 互允法則：無對稱中心的分子其分子振動對紅外和拉曼都是活性的。三、拉曼光譜與紅外光譜關系苯甲酸的紅外與拉曼光譜1）相同點：紅外光譜和拉曼光譜都可以用來分析分子結構和化學組成，而且它們都屬于分子振動光譜2）不同點：1. ...

于增益介質的能級結構。本文總結了目前市場上常用的激光器的中文名稱及英文簡稱，以及各種激光器的典型的波長激光器中文名稱及英文簡稱輸出波長基本介紹ArF Laser（氟化氬激光器）193nm是指受到電子束激發的惰性氣體和鹵素氣體結合的混合氣體形成的分子向其基態躍遷時發射所產生的激光，通常都在紫外波段。KrF Laser（氟化氪激光器）248nmXeCl Laser（氯化氙準分子激光）308nmXeF Laser（氟化氙準分子激光器）351nmHeCd Laser（氦鎘激光器325nm, 441.6nm是指工作物質是氣體的一種激光器，區別于準分子激光器，氣體激光器是由原子能級躍遷產生的激光器，主要激 ...

Se2的費米能級來抑制陷阱態，可以提高VFET的垂直遷移率，這可以通過施加高的漏極電壓來增加注入的載流子密度，或者可以通過分別施加柵極電壓和降低金屬功函數來減小石墨烯/WSe2、金屬/WSe2異質結的肖特基勢壘來實現。圖1圖1 石墨烯/WSe2/金屬垂直場效應晶體管VFET結構 a)VFET源極、溝道、漏極示意圖b) 具有明亮對比度（右面）和黑暗對比度（左面）的截面明場STEM圖像 c) 石墨烯/ WSe2 /金屬VFET中的陷阱源示意圖 d) 器件的光學圖像，顯示底部石墨烯層（虛線），頂部金屬電極（虛線）以及中間WSe2層 e)石墨烯拉曼成像（1585cm-1）f)WSe2拉曼成像（250c ...

比于基于電子能級的光譜光譜方法，拉曼光譜顯著提高了測量的特異性，而且不需要在系統中引入熒光標記。被測樣品能夠以完全無接觸，無標記的方法進行檢測，防止了其他因素對系統的影響6，7。紅外光譜是另一種常見的分子振動光譜方法。紅外與拉曼光譜有著不同的選擇定則。紅外光譜對偶極子的變化敏感，而拉面光譜則對極化率敏感4。這使得紅外與拉曼對特定的化學鍵振動有著更好的探測效果。對于成像應用，還有兩個其他的考慮因素：1）紅外有著較長的波長，通常達到幾個微米。這使得成像的空間分辨率被其波長本身所限制。拉曼可以使用可見或近紅外光源，所以可以達到更高的高的空間分辨率。2）水分子對紅外有著很強的吸收。在水分較為豐富的環境 ...

Rb 的原子能級，從而實現對激光器輸出頻率的調制。在磁場的作用下，原子磁子能級塞曼分裂，上、下能級發生移動。當磁場較弱時，可以通過塞曼效應定量計算移動量：△E=MgμBB，其中M為磁量子數，μB為玻爾磁子，B為磁感應強度，g為朗德因子。激光在進入Rb原子池前先通過λ/4波片，將線偏振光變為圓偏振光，做為探測光。由于光抽運效應的存在，幾乎可以認為原子在某兩個能級上發生循環躍遷（以87Rb的F=2→F’=3超精細躍遷為例，經過光抽運后，可以認為原子都布居在mF=+2和mF'=+3兩個能級上進行循環躍遷），就可以求出躍遷過程中上下能級的相對移動量。圖2：87Rb 原子光抽運后的能級結構圖因此 ...

。由于系統中能級的位置主要由層厚度而不是材料決定，因此在同一材料系統中可以在很大范圍內調節QCL的發射波長。此外，在半導體激光二極管中，電子和空穴在穿過帶隙重新組合后湮滅，不能再發揮光子產生的作用。然而，在單極QCL中，一旦電子經歷了子帶間躍遷并在超晶格的一個周期內發射光子，它可以通過隧道進入結構的下一個階段，在那里可以發射另一個光子。當一個電子穿過QCL結構時，它會導致多個光子的發射，這一過程產生了級聯，并使量子效率大于單位成為可能，從而產生比半導體激光二極管輸出更高的功率。D1個QCL是在GaInAs/AlInAs材料系統中制作的，晶格匹配于InP襯底這種特殊的材料系統的導帶偏移量(量子阱 ...

子阱[1]內能級間的子帶間躍遷來實現的。自1994年首次實驗演示以來，QCL技術得到了巨大的發展。這些性能水平是結構設計、材料質量和制造技術不斷改進的結果[3-5]。目前，它正在成為中紅外(中紅外)和太赫茲(太赫茲)頻率范圍內的激光源，并在氣體傳感、環境監測、醫療診斷、安全和國防[6]中有許多應用。西北大學量子器件中心(CQD)的目標是推進光電技術，從紫外到太赫茲光譜區域。這包括基于III-V半導體的許多不同技術的發展[7,8]。自1997年以來，CQD在量子級聯激光器QCL的發展上投入了相當大的努力，特別是在功率、電光轉換效率(WPE)、單模操作、調諧和光束質量方面，推動QCL從一個實驗室工 ...

子而躍遷到高能級的現象。因此反應概率遠小于一般的單光子吸收，它的幾率正比于光強度的平方。神經元鈣成像（calcium imaging）技術的原理就是借助鈣離子濃度與神經元活動之間的嚴格對應關系，利用特殊的熒光染料或者蛋白質熒光探針（鈣離子指示劑，calcium indicator），將神經元當中的鈣離子濃度通過雙光子吸收激發的熒光強度表征出來，從而達到檢測神經元活動的目的。美國Meadowlark Optics公司專注于模擬尋找純相位空間光調制器的設計、開發和制造，有40多年的歷史，該公司空間光調制器產品廣泛應用于自適應光學，散射或渾濁介質中的成像，雙光子/三光子顯微成像，光遺傳學，全息光鑷( ...